目前國內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)，紛紛在寬禁帶半導(dǎo)體產(chǎn)品上發(fā)力。國內(nèi)主要的半導(dǎo)體企業(yè)均在積極布局低碳產(chǎn)品線，不斷加大低碳類項(xiàng)目投入，深化低碳芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。

在節(jié)能降碳風(fēng)潮的推動(dòng)下，寬禁帶半導(dǎo)體被認(rèn)為是具有廣闊發(fā)展前景的市場。即便當(dāng)前碳化硅、氮化鎵器件相較于硅器件的價(jià)格仍較高，但綜合來看，應(yīng)用寬禁帶半導(dǎo)體器件將給系統(tǒng)帶來巨大的綜合收益。“雙碳”浪潮下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各方同時(shí)用力，但誰能在這一風(fēng)潮中獲利，將取決于企業(yè)的生態(tài)打造能力。

吉林華微電子寬禁帶產(chǎn)品生產(chǎn)研發(fā)勢(shì)頭亮眼。隨著低碳化產(chǎn)品成為持續(xù)拉動(dòng)功率半導(dǎo)體市場增長的動(dòng)力點(diǎn)，全球各大供應(yīng)商分別推出了相關(guān)產(chǎn)品和解決方案。吉林華微電子抓住新的增長機(jī)遇，積極邁進(jìn)“低碳”路線，努力為其發(fā)展鋪就一條硬科技綠色通道。

眾所周知，寬禁帶半導(dǎo)體具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場強(qiáng)度大、飽和電子漂移速度高、介電常數(shù)小以及良好的化學(xué)穩(wěn)定性等特點(diǎn)，特別是基于SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)的材料具有更高的電子遷移率，使得器件具有低的導(dǎo)通電阻、高的工作頻率，能滿足下一代電子裝備對(duì)功率器件更大功率、更高頻率、更小體積和更惡劣高溫工作的要求。

在GaN(氮化鎵)器件方面，吉林華微電子已開發(fā)出650V功率器件，用于消費(fèi)類電源領(lǐng)域。對(duì)于SiC(碳化硅)器件，吉林華微電子已經(jīng)完成650V～1200VSiC二極管的開發(fā)，產(chǎn)品處于量產(chǎn)階段;同時(shí)正在加快SiCMOSFET(碳化硅功率元器件)的推廣，向汽車充電樁、汽車OBC(車載充電器)和光伏儲(chǔ)能領(lǐng)域進(jìn)行推廣。公司未來將大力發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體，充分迎接低碳賽道的各項(xiàng)挑戰(zhàn)。

據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)網(wǎng)站發(fā)布的市場數(shù)據(jù)表明，2022年全球功率半導(dǎo)體的銷售額同比增長11%，達(dá)到1763億人民幣，實(shí)現(xiàn)連續(xù)第六年的增長，達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的歷史最高水平。吉林華微電子經(jīng)過認(rèn)真研判發(fā)現(xiàn)，伴隨著疫情沖擊的減弱，社會(huì)經(jīng)濟(jì)活動(dòng)回歸正常，在新能源汽車應(yīng)用、IGBT國產(chǎn)替代、第三代半導(dǎo)體迅猛的低碳化發(fā)展態(tài)勢(shì)下，寬禁帶半導(dǎo)體將給功率半導(dǎo)體器件帶來可觀的增量需求，我國功率半導(dǎo)體市場有望延續(xù)逆勢(shì)增長。

(關(guān)鍵字：半導(dǎo)體)