2月28日消息，美國GT先進技術公司和法國Soitec公司簽署了一項開發(fā)和許可協(xié)議，允許GT先進技術公司研制大規(guī)模、多晶圓的氫化物氣相外延(HVPE)系統(tǒng)，并推動其商用化。

HVPE設備將用來制造高質量的氮化鎵外延層，主要用于發(fā)光二極管(LED)和電力電子等高增長行業(yè)。

與傳統(tǒng)的金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)工藝相比，HVPE能夠提高生長率和改善材料性能，有望大幅降低制造成本并提高器件性能。按照協(xié)議，許可費的預付款已在執(zhí)行，但具體條款尚未披露。

GT先進技術公司將利用Soitec公司鳳凰實驗室的專有技術，研制HVPE系統(tǒng)，并推動其商用化發(fā)展，預計的應用日期為2014年下半年。未來HVPE系統(tǒng)將推動藍寶石襯底氮化鎵的大規(guī)模生產。

(關鍵字：鎵 氮化鎵 氮化鎵外延層)